合科泰作為國家級高新技術企業，深耕功率半導體領域30余年，專注于MOSFET的技術研發與規模化生產。公司擁有位于西南和華南區域的三大制造基地，月產能達800KK，是國內少數掌握SGT（屏蔽柵溝槽）與超結工藝的功率器件廠商。
核心支撐能力
研發團隊：50+半導體工程師組成的專項團隊，累計獲得20余項MOSFET相關專利，主導SGT工藝國產化突破。
測試中心：配備X-RAY檢測機、高溫反偏測試系統等高端設備，全流程執行IATF16949汽車級品質標準。
智能制造：萬級無塵車間實現芯片劃片-固晶-測試全自動化，關鍵工序良率達99.8%，確保MOS管參數一致性。
核心技術：SGT工藝賦能卓越性能
合科泰MOS管采用自主研發的SGT工藝，通過深溝槽結構與屏蔽柵設計，實現三大突破：
1.超低導通電阻：如HKTG90N03僅3.8mΩ，較傳統溝槽型MOSFET降低40%損耗。
2.高頻開關特性：大幅降低米勒電容，有助于顯著降低開關損耗，適用于高頻電源場景。
3.高可靠性：雪崩能量承受能力顯著提升，抗浪涌能力強，滿足工業級應用需求。
明星產品推薦
1.HKTG90N03（PDFN5x6封裝）
參數：30V，90A，Rds(on)=3.8mΩ（Typ）
優勢：采用SGT工藝，極低內阻，最高結溫達175℃，優化高溫性能。
應用：高功率馬達驅動、電動車BMS電池保護。
PDFN5x6封裝
2.HKTD90N03（TO-252封裝）
參數：30V，90A，Rds(on)=3.8mΩ（Typ）
優勢：工業級可靠性，高耐壓設計，低熱阻封裝，適合大電流場景。
應用：電動車控制器、儲能系統DC-DC轉換。
TO-252封裝
3.HKTQ80N03（PDFN3x3封裝）
參數：30V，80A，Rds(on)=5.2mΩ（Typ）
優勢：小尺寸封裝（3x3mm），高頻開關優化，適用于空間受限場景。
應用：快充VBUS開關。
PDFN3x3封裝
品質與交付保障
全流程品控：從芯片劃片到成品測試，16道檢測工序（如X-RAY、超聲掃描）。
快速交付：6000㎡智能倉庫，常備庫存100億只，24小時內發貨。
環保認證：符合RoHS、REACH標準，通過IATF16949汽車級認證。
應用領域
合科泰MOS管憑借先進的SGT和超結工藝，提供從低壓到高壓的全系列MOSFET產品，具有低導通電阻、高可靠性及優異的開關特性，廣泛應用于新能源汽車、智能家電、工業控制、儲能系統等領域，為客戶提供高效、可靠的功率解決方案。為客戶提供高效、可靠的功率解決方案。
