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MOSFET規(guī)格書里藏得最深的參數(shù)--EAS(單脈沖雪崩能量)

2026-01-13 10:22:31閱讀量:284

在電源和電機驅(qū)動等應(yīng)用中,MOSFET的雪崩失效是導(dǎo)致意外故障的常見原因之一。即便工作電壓和電流在額定范圍內(nèi),瞬態(tài)的電壓過沖(如開關(guān)關(guān)斷、感性負載回彈)也可能引發(fā)雪崩擊穿,造成器件永久損壞,帶來系統(tǒng)停機和維修成本。

 

要有效預(yù)防此類失效,僅依賴器件的標稱Vds和Id參數(shù)是不夠的。工程師需要重點關(guān)注一個關(guān)鍵的安全裕量指標:EAS(單脈沖雪崩能量)。它定義了器件在極端瞬態(tài)應(yīng)力下的生存邊界,是選型和可靠性設(shè)計的重要依據(jù)。

 

單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse),即 EAS。指的是MOSFET器件串聯(lián)感性負載時,在單次脈沖(工作到關(guān)斷)狀態(tài)下,所能承受的最大能量消耗,單位是焦耳(J),其值越大,器件在電路中遭遇瞬間過電壓或過電流情況時越不容易損壞。

 

EAS(Single-PulseAvalancheEnergy)這個參數(shù),就是量化MOS管在單次雪崩事件中能安全吸收并耗散掉的最大能量值。它的單位是毫焦耳(mJ)。

 

圖1  50N06的極限參數(shù)

 

EAS的測試原理如下:

 

圖2

 

如圖所示,電源V2給MOS管施加一個開啟電壓,讓MOS出于一個導(dǎo)通狀態(tài),使得電源V1能夠給電感L充電。當電感L電流達到測試值(MOS管IAS目標值)時,電源V2瞬間斷電,電感L存儲的電流會產(chǎn)生一個反向電動勢,此時的反向電壓尖峰遠超過MOS管的擊穿電壓,導(dǎo)致漏極-源極被擊穿。在擊穿的瞬間,電流探頭記錄的電流Id,電壓探頭記錄漏極-源極之間的電壓Vds。

 

IAS就是電流波形上的最高點。

 

EAS就是在雪崩擊穿過程中(從電壓超過擊穿電壓,到電流接近零為止),的每一小段進行積分所得到的值(即示波器捕獲的波形面積)。

 

公式如下:

 

這個公式往往會理想化成這個熟悉的公式:

 

按上述公式,圖1中的EAS≈0.5*0.5*12*12=36mJ,和規(guī)格書基本一致。

 

但是需要注意的是EAS背后的限制條件:

 

1、溫度:實驗室測試溫度是25℃,而實際應(yīng)用場景中結(jié)溫度可能高達125℃,EAS暴跌,血淚公式: 

 

2、脈寬:標稱值短脈沖(≤10μs),現(xiàn)實應(yīng)用中電機堵轉(zhuǎn)脈沖>200μs,EAS利用率大打折扣。

 

3、非重復(fù)性:只保證單次雪崩的安全性,如果電路需要頻繁經(jīng)歷雪崩(比如某些特定拓撲),EAS不能直接用于選型,需要考慮降額或選擇具有重復(fù)雪崩能力(IAR,EAR)的器件。

 

實際設(shè)計中的應(yīng)用考量與選型指導(dǎo)

 

1、評估風險:應(yīng)用場景是否有可能發(fā)生雪崩事件?例如驅(qū)動電機、繼電器、電磁閥等帶有大電感負載的電路就有可能發(fā)生雪崩擊穿,還有開關(guān)電源的某些拓撲在特定故障下也有可能。

 

2、估算能量:

計算或估算電路中電感(主要是負載電感或變壓器漏感)在關(guān)斷瞬間儲存的最大能量 。L為回路中的等效總電感負載電感加布線電感等;I為MOS管關(guān)斷瞬間流經(jīng)它的峰值電流,需考慮最惡劣的情況。

 

3、計算雪崩持續(xù)時間:

計算雪崩持續(xù)時間tAV。VBR擊穿電壓一般使用規(guī)格書最小值;VDD母線電壓為系統(tǒng)最大工作電壓,并考慮可能的瞬態(tài)過壓。

 

 

4、比較規(guī)格書中參數(shù)EAS與E預(yù)測值,一般選擇EAS值大于1.5倍測算值。

 

編碼

型號

C5818970

50N06(TO-252)

 

舉例

 

假設(shè)某24V直流電機驅(qū)動系統(tǒng),選用50N06,堵轉(zhuǎn)電流10A,回路雜散電感2mH(含走線電感和電機繞組漏感),MOSFET擊穿電壓VBR=60V,工作結(jié)溫Tj=110℃,規(guī)格書標注EAS=36mJ。

 

則E=0.5*L*I2=0.5*0.002*10*10=100mJ

tAV=L*I/(VBR-VDD)=0.002*5/(60-24)≈0.3ms

查表,0.3MS下ID可以到40A

 

雖然在ID電流可以到40A,但是實際電路中估算的能量已經(jīng)超過規(guī)格書中的EAS,在實際工作中結(jié)溫也很高,實際的EAS能量會更低,風險極高!需換用更強器件或降低電感/電流。

 

EAS比較100mJ>36mJ,結(jié)論同樣是風險過高。

 

總結(jié)

 

EAS是MOSFET抗雪崩失效的核心安全屏障,但其標稱值高度依賴測試條件。工程師需穿透數(shù)據(jù)手冊表象,結(jié)合實際脈沖特性、溫度邊界、拓撲風險綜合設(shè)計,方能在高可靠性系統(tǒng)中構(gòu)建真正有效的保護機制。