導讀：近日，國內知名IDM士蘭微公告，已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術開發，并將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，即將向客戶送樣。
圖：士蘭微
公告還稱，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線，項目取得階段性進展，目標在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片生產能力。
該SiC功率器件生產線項目于2022年7月正式啟動，計劃投資15億元，建設一條6英寸SiC(碳化硅)功率器件芯片生產線，最終形成年產14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年，SiC-SBD芯片2.4萬片/年。
士蘭微表示，目前第一代平面柵SiC-MOSFET技術性能指標達到業內同類器件結構的先進水平，芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶送樣。
在新能源汽車領域，SiC功率半導體主要用于驅動和控制電機的逆變器、車載DC/DC轉換器、車載充電器(OBC)等，特斯拉Model 3主逆變器首次采用全SiC功率器件開行業先河。車載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發揮高頻、高溫和高壓三方面的優勢，可實現充電系統高效化、小型化和高可靠性。
目前SiC器件主要供應商為傳統海外IDM(設計制造一體化)大廠，其中ST意法、英飛凌、Wolfspeed、羅姆、安森美5家企業占據全球約90%的市場份額，并在近年來相繼推出SiC器件擴產計劃。2022下半年以來，半導體產業的發展邏輯發生了重大轉變，全球化分工合作前景在逐漸降低，全產業鏈自主可控預計會超越產業周期，成為未來國產半導體產業的發展主線。
