導讀：日前，中國電科第二研究所宣布，團隊自研設備目前已實現4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進展。
來源：中國電科第二研究所
據中電科二研所發布的信息，激光剝離設備有機結合激光精密加工和晶體可控剝離，實現半導體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時間減少50%以上，并實現晶體加工整線的高度自動化。
激光剝離可用于碳化硅、氮化鎵、金剛石等硬脆半導體材料加工，實現襯底成本的大幅降低，亦可擴展至電力電子與微波射頻芯片制造、異質材料復合襯底制造、集成電路先進封裝等領域，實現晶圓減薄、解鍵合等先進工藝，支撐國防軍工、下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯網等產業的創新發展及國家安全、新基建、雙碳經濟等國家重大戰略的實施，被譽為半導體材料制備領域的“光刻機”。
目前，團隊已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，基于工藝與裝備的協同研發，實現了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進展。下一階段，激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產化、高良率化、全自動化、低能耗化”為目標，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動化設備貫線，真正解決國家第三代半導體關鍵技術問題，為國家發展貢獻力量。
