導讀：近期中科院物理研究所宣布，8英寸SiC導電單晶研制成功，將用于SiC單晶襯底。
圖：8英寸SiC單晶和晶片（中科院）
SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環節形成，襯底在SiC器件成本中占比高達~45%。為了降低單個器件的成本，進一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優勢。
8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題；另外，還要解決應力加大導致晶體開裂問題。
據中科院物理研究所，科研團隊于2021年10月在自研的襯底上初步生長出了8英寸SiC晶體。
近期，團隊通過優化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續改善晶體結晶質量，成功生長出了單一4H晶型的8英寸SiC晶體，并為相關成果申請了三項中國發明專利。
8英寸SiC導電單晶研制成功是物理所在寬禁帶半導體領域取得的又一個標志性進展，研發成果轉化后，將有助于增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力，促進我國寬禁帶半導體產業的快速發展。
