圖：程衛(wèi)華在中國閃存市場峰會上
程衛(wèi)華在演講中提到，隨著5G手機市場滲透率快速提升，嵌入式存儲市場規(guī)模也快速增長。目前，長江存儲64層閃存顆粒出貨超3億顆。
同時，長江存儲于去年4月推出的128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)。據(jù)悉，X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
圖：長江存儲發(fā)布的全球首款128層QLC閃存芯片
這是中國首次在閃存規(guī)格上超過三星等內(nèi)存大廠，也標(biāo)志著中國打破了美日韓在閃存市場上的定價權(quán)。
“這款產(chǎn)品已經(jīng)達到全球主流產(chǎn)品的位置，表明中國芯片產(chǎn)品在國際市場已由跟跑進入并跑時期。”華中科技大學(xué)計算機學(xué)院院長馮丹教授曾表示。
同時據(jù)程衛(wèi)華介紹，長江存儲發(fā)布的128層512Gb TLC（3 bit/cell）已實現(xiàn)量產(chǎn)，閃存良率也做到相當(dāng)高的水準(zhǔn)，產(chǎn)品也已經(jīng)進入高端智能手機和企業(yè)級的應(yīng)用。芯片大師曾報道主控、存儲顆粒全自主，國產(chǎn)“最強”SSD發(fā)布！采用的就是是長江存儲128層3D TLCNAND。
而長江存儲從64層芯片到128層彎道超車，直接越過了96層技術(shù)。長江存儲首席執(zhí)行官楊士寧曾表示：“從64層芯片量產(chǎn)至128層芯片問世，僅用7個月，還有一半時間是在疫情之中。”
據(jù)悉，128層QLC 3D NAND 閃存和128層512Gb TLC（3 bit/cell）閃存均采用長江存儲自主研發(fā)的Xtacking? 2.0版本。而據(jù)程為華介紹，長江存儲的Xtacking技術(shù)架構(gòu)進入3.0階段，產(chǎn)能到明年年中將滿載。
