在功率半導體領域，碳化硅（SiC）正以 “后起之秀” 的姿態重塑行業格局。作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，碳化硅擁有遠超傳統硅材料的物理特性 ——禁帶寬度是硅的 3 倍，熱導率是硅的 3 倍，擊穿場強是硅的 10 倍。這些特性賦予了碳化硅器件 “天生強者” 的基因：能在更高溫度、更高頻率、更高電壓的環境下穩定工作，同時實現更低的能量損耗。?
如今，碳化硅器件已成為多個戰略新興產業的 “剛需”：
新能源汽車
主逆變器、車載充電機（OBC）中采用碳化硅器件，可延長續航里程 10% 以上，同時縮短充電時間。
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儲能系統
在光伏逆變器、儲能變流器中，碳化硅器件能提升能量轉換效率，減少發熱損耗，延長設備壽命。?
工業控制
高頻感應加熱、伺服電機驅動等領域，借助碳化硅的高頻特性，可簡化電路設計，提升控制精度。?
智能電網
高壓直流輸電、柔性交流輸電系統中，碳化硅器件的高耐壓特性有效降低了輸電損耗。?
我們的產品：技術創新的實踐者?
在碳化硅器件的產業化浪潮中，我們始終以技術突破回應市場需求。旗下第四代碳化硅 MPS 肖特基二極管（涵蓋 650V、1200V、1700V 電壓等級），正是碳化硅材料優勢的典型載體 —— 通過先進薄片技術提升電流密度、降低導通損耗，結合抗浪涌技術增強工況適應性，為各領域客戶提供兼具高效與可靠的功率解決方案。?
從材料革命到產業升級，碳化硅器件正在改寫電力電子的未來。無論你是尋求能效突破的開發者，還是布局技術迭代的企業，了解碳化硅，都將為你打開新的可能性。?
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序號 |
物料編碼 |
型號 |
封裝 |
商品類型 |
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1 |
C50132424 |
TO-247-2 |
碳化硅肖特基 |
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2 |
C50132425 |
TO-247-2 |
碳化硅肖特基 |
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3 |
C50132426 |
TO-247-2 |
碳化硅肖特基 |
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4 |
C50132427 |
TO-247-2 |
碳化硅肖特基 |
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5 |
C50132428 |
TO-247-2 |
碳化硅肖特基 |
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6 |
C50132429 |
TO-247-2 |
碳化硅肖特基 |
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7 |
C50132430 |
TO-247-2 |
碳化硅肖特基 |
