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SD NAND vs 傳統存儲:兼容性、穩定性與易用性分析

2025-11-04 10:11:56閱讀量:2604

 

不知道上面這種sd nand大家是否用過,最近也是用了雷龍的sd nand,我發現sd nand對于其他的存儲產品有好很多的優點。

 

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我們把存儲產品大概分為E2PROM,NOR,NAND 3類,他們框架如下:(下圖來自雷龍公司博客)

 

 

一、E2PROM

 

容量非常小,目前存在于一些MCU內部,遙控器,電風扇等小家電里。用來存儲一些基礎信息。用戶基本不關心這個。因此這里不做詳細描述。

 

二、NOR Flash

 

目前應用領域最廣泛的一種存儲芯片了.基本上主流的電子產品里都有使用。甚至我們手機攝像頭內部,屏幕驅動電路板上都會用到。主要用來存儲代碼和一些比較小的數據文件。主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封裝:SOP-8居多,也有更小的;尺寸也都比較小。 NOR Flash架構決定了它的容量不能做大,而且讀取速度比較慢。好處在于比較簡單易用。甚至可以直接用地址訪問到數據,不需要建立文件系統。

 

三、NAND Flash

 

目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經常使用的電子產品都會涉及到它。比如你買手機,肯定會考慮64GB,還是256GB?買筆記本是買256GB,還是512GB容量的硬盤呢?(目前電腦大部分采用了基于NAND Flash產品的固態硬盤)。

 

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通過本人的使用,以及查閱大量存儲資料,簡單的硬件傳輸速度測試,我們可以得出cs sd nand的優點如下:

 

內部材質

 

NAND FLASH從材質上可以分為SLC/MLC/TLC/QLC,本質區別就是在最小的存儲單元內能存放多少bit的信息。SLC(2bit)/MLC(4bit)/ TLC(8bit)/ QLC(16bit). 這樣晶圓的存儲密度會翻倍。這4種晶圓的特點如下:

 

 

生產工藝

 

目前生產工藝以及升級為3D,帶來的最大好處就是存儲密度N倍的增長。最近幾年手機,筆記本的主流容量都在變大跟產業使用了3D工藝有直接關系。

 

使用特點/管理機制

 

NAND Flash產品本身存在一定的特性,要正常使用,必須配備對應的管理機制。主要有:

 

1、NAND Flash存在位翻轉和位偏移。本來存儲的是0101的數據,有一定概率會變成1010。這個時候就需要配備EDC/ECC機制;

 

2、NAND Flash出廠時會有壞塊(不用驚訝,原廠出廠的時候都會標識出來,而且比例是很低),在使用當中也可能產生壞塊。因此需要配備 動態和靜態壞塊管理機制;

 

3、NAND Flash有寫入壽命的限制。每個塊都有擦寫壽命。因此需要配備 平均讀寫機制。讓整體的塊能夠均衡的被使用到;

 

4、NAND Flash是先擦后寫,集中擦寫的強電流會對周邊塊有影響等。需要配備 垃圾回收,均衡電荷散射機制等。

 

CS創世 SD NAND把這些算法都集成到內部了。示意圖如下:

 

 

產品方面

 

芯片類產品有SD NAND,eMMC, SPI NAND. 他們共同特點是內部都帶了針對NAND Flash的管理機制。相對來說可以減輕CPU的負荷。但SPI NAND除外,它內部只帶了部分管理算法,因此還是需要寫驅動。 模組類產品主流的有TF/SD卡,SSD,U盤等。

 

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幾個常用產品做一個簡單的對比:

 

 

NOR 與 NAND對比

 

1、NOR Flash支持隨機訪問,所以支持XIP(execute In Place),NAND Flash需要按塊進行讀取,所以不支持XIP 。

 

2、NAND FLASH理論讀取速度與NOR Flash相近,實際情況會根據接口不同有些差異。

 

3、NOR 與 NAND 寫入前都需要先擦除,NOR在擦除時以64~128KB的塊進行,執行一個寫入/擦除操作的時間約5s,NAND在擦除時以8~32KB的塊進行,執行一個寫入/擦除操作的時間約4ms。

 

4、NAND 理論最大擦除次數比NOR多。

 

5、NOR 驅動比NAND簡單,NAND FLASH需要通過專門的NFI(NAND FLASH Interface)與Host端進行通信,驅動相對復雜。

 

6、所有Flash 都會有位反轉的問題,NAND 位反轉概率要比NOR高,NAND Flash 必須要使用ECC。

 

7、NAND的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,所以NAND成本更低。

 

 

NOR 與 NAND 各有特點,應用場景與應用難度也不同,SD NAND 在保留了NAND架構優質特性的同時改進了不足之處,內置的控制器能自行管理NAND Flash,用戶無需在外部處理ECC和進行壞塊管理,免去了MTD層,用戶不需要寫繁瑣的驅動代碼。這些特性也使得NOR用戶升級NAND 成為可能。

 

架構對比完我們再來看一下產品對比:

 

CS品牌SD NAND與SPI NAND的對比

 

1、相同點:

 

內部材質:主流基本都使用的是SLC NAND Flash晶圓,擦寫壽命5~10W次。

封裝大小:主流尺寸都是6*8mm,8pin腳。

 

2、不同點:

 

接口不同:SD NAND正常接CPU的SDIO使用,有些平臺也支持SD NAND接SPI接口(但讀寫速度可能會變慢); SPI NAND接SPI接口, 接SDIO則無法正常使用。

 

驅動程序:基本上主流CPU平臺都自帶SDIO的驅動,因此SD NAND不需要用戶額外寫驅動;另外SD NAND內置了針對NAND Flash的EDC/ECC,壞塊管理,平均讀寫,垃圾回收等算法。針對NAND Flash的管理完全做好了;而SPI NAND主要是做協議的轉換,從并口轉為SPI接口,有部分廠商產品內置了EDC/ECC算法,但其他管理機制未包含在內。從而導致了用戶在使用SPI NAND時還是要寫驅動程序。

 

讀寫速度:由于接口和協議的差異,兩者的速度差異比較大。SD NAND走的是4-bit傳輸帶寬,讀寫速度相比SPI NAND要快很多,最高寫入速度可以達到Class 10級別;而SPI NAND 主流還是1-bit傳輸模式,讀寫速度要慢很多。

 

穩定度:SD NAND由于內置了全套管理算法,在穩定度方面會好很多。特別是針對掉電保護這塊。例如CS品牌的SD NAND二代通過了客戶10K次的隨機掉電測試。而SPI NAND跟Raw NAND 都“繼承”了NAND Flash先擦后寫機制帶來的弊端,在寫入數據的時候突然掉電很容易丟失數據。

 

整體來看SD NAND是一個集成了完整NAND Flash算法的Total Solution,而SPI NAND主要是完成協議的轉換,內置的算法并不完整。

 

cs品牌sd nand總結

 

1、兼容性強。基本上客戶主控能用TF卡和SD卡,就能夠使用SD NAND。如果換了新的主控,只要新主控有SD接口,基本上就能使用SD NAND Flash。

 

2、尺寸小,焊接穩定。是WSON-8的封裝,6x8mm的尺寸。PIN少,尺寸小,既能節約PCB板的面積,降低成本,還能讓最終產品做的更小。

 

3、容量合適。目前量產容量有128MB、512MB,后期會推出1GB和4GB容量的SD NAND。客戶可以根據自己的實際需求選擇合適的容量,降低成本。

 

4、簡單易用。SD NAND內置壞塊管理,平均讀寫,動態和靜態的EDC/ECC算法等等,除了讓產品的質量更穩定,更好的延長壽命,更能減少CPU的負荷。讓后續針對NAND Flash的操作,都可以交給SD NAND,CPU可以不用再管了。領導再也不用擔心我的NAND Flash驅動了。

 

5、使用壽命長,性能穩定。SLC NAND 是NAND Flash中使用壽命最長,性能最穩定的類型了。可達10W的擦寫壽命,讓SD NAND十分的耐操。

 

可以看出CS品牌SD NAND除了是貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡,貼片式U盤,貼片式UDP以外,更可以說是一款最小尺寸的TF卡、最小尺寸的NAND Flash產品、簡單易用的NAND Flash產品、不用寫驅動的NAND Flash產品、壽命長的NAND Flash產品、穩定的NAND Flash產品。

 

綜上所述,非常推薦CS創世品牌SD nand。

 

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