一、新品首發(fā)
在電源管理領(lǐng)域，高效、可靠的功率器件是提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合SGT屏蔽柵技術(shù)，推出全新N溝道增強(qiáng)型MOSFET系列產(chǎn)品，其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，以其卓越的開關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，成為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用的理想選擇。
1. 低導(dǎo)通電阻，高效節(jié)能
- 在VGS=10V、ID=35A條件下，最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為8mΩ（典型值6mΩ），顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
- 支持4.5V低柵極驅(qū)動(dòng)電壓（Max RDS(on)=11mΩ@30A），適配低壓控制場景。
2. 快速開關(guān)與低反向恢復(fù)電荷
- 優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能：開啟延遲時(shí)間11ns，關(guān)斷延遲時(shí)間33ns，適應(yīng)高頻開關(guān)需求。
- 超低反向恢復(fù)電荷（Qrr=71nC）和軟恢復(fù)特性，減少開關(guān)噪聲，提升EMC表現(xiàn)。
3. 高可靠性設(shè)計(jì)
- 100V耐壓設(shè)計(jì)，支持75A連續(xù)電流與240A脈沖電流，滿足嚴(yán)苛負(fù)載條件。
- 產(chǎn)品100% 通過UIS（無鉗位電感開關(guān)）測試，單脈沖雪崩能量（Eas）達(dá)130mJ，確保抗沖擊能力。
- 工作溫度范圍-55°C至+150°C，適應(yīng)工業(yè)級環(huán)境。
三、電性曲線圖
四、典型應(yīng)用場景
1. 快充與電源適配器
- 適用于AC/DC同步整流電路，低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性可顯著提升充電效率，減少發(fā)熱。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與UPS系統(tǒng)
- 高電流承載能力與抗雪崩特性，保障電機(jī)啟停和突發(fā)負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 光伏微逆變與電池管理
- 低柵極驅(qū)動(dòng)電壓需求適配太陽能MPPT控制，高效能量轉(zhuǎn)換；在BMS中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)充放電管理。
五、選型推薦
目前MDDG10xx系列產(chǎn)品已經(jīng)上架至立創(chuàng)商城，提供4種封裝形式可前往立創(chuàng)商城選購！除了MDDG10xx系列，MDD還新推出一系列低壓大電流系列MOS針對不同的應(yīng)用場景，提供多封裝如Toll、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等，以滿足各行業(yè)匹配需求。
六、持續(xù)帶來創(chuàng)新產(chǎn)品
MDD位于安徽滁州的工廠已通過IATF 16949:2016質(zhì)量體系的審核，工廠占地面積2萬平米，引進(jìn)國際頂尖設(shè)備，采用MES數(shù)字化管理，配備可靠性試驗(yàn)室，在流程管理、品質(zhì)把控、技術(shù)研發(fā)等多角度保穩(wěn)定高質(zhì)量生產(chǎn)。
