江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司從事第三代化合物半導(dǎo)體材料—氮化鎵（GaN）系列材料的開發(fā)制造和應(yīng)用。二十余年來(lái)專注于GaN材料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發(fā)和生產(chǎn)，擁有堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，掌握氮化鎵外延、器件制備和封裝等領(lǐng)域的核心技術(shù)，本公司的GaN材料外延和器件的性能達(dá)到世界先進(jìn)水平。
公司的主要產(chǎn)品有高性能肖特基二極管勢(shì)壘（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發(fā)光二極管（UVC-LED）等，這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領(lǐng)域。江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司將致力于實(shí)現(xiàn)氮化鎵電子器件和高端光電器件領(lǐng)域的“中國(guó)智造”！
產(chǎn)品介紹
主營(yíng)業(yè)務(wù)
電力電子（HEMT、SBD）、發(fā)光二級(jí)管（LED）、激光器（LD）、功率放大器（RF PA）、外延片、晶圓等產(chǎn)品
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
電力電子：開關(guān)電源、逆變器、BMS、直流控制器和新能源汽車快充機(jī)等
激光器（LD）：平面投影（近投、全息）、測(cè)距儀、瞄準(zhǔn)器等
發(fā)光二極管：空氣、水消菌殺毒，醫(yī)療器械、便攜式殺毒等
功率放大器：基站、射頻器件等。
譽(yù)鴻錦產(chǎn)業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM整合 x 高研發(fā)效率 x 設(shè)備降本 x 快速應(yīng)用驗(yàn)證
Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設(shè)備材料+IDM+終端技術(shù)應(yīng)用+零售生態(tài)平臺(tái)
團(tuán)隊(duì)經(jīng)驗(yàn)：公司擁有包括諾貝爾獎(jiǎng)級(jí)，院士，千人等頂級(jí)的專家，聯(lián)合中科院納米所技術(shù)支持。在研發(fā)，生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品應(yīng)用擁有核心優(yōu)勢(shì)。企業(yè)核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)已掌握了外延生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)，形成“設(shè)計(jì)+外延+芯片+制造”的IDM模式，已取得和申請(qǐng)專利技術(shù)140多項(xiàng)。
推薦產(chǎn)品
GaN MOS YHJ-65P150AMC廣泛應(yīng)用于PD快充、適配器等。
以手機(jī)快充為例，現(xiàn)在手機(jī)變得越來(lái)越強(qiáng)大，同時(shí)也要求給手機(jī)充電的適配器往更大功率、更高功率密度方向發(fā)展。而GaN的高頻、高效特性正好滿足此要求。
與傳統(tǒng)Si MOSFET相比，GaN具有以下優(yōu)點(diǎn):
1、低Qg/Ciss:開斷速度快；開關(guān)速度快，減少開關(guān)損耗；
2、低Coss/ qss:開、關(guān)速度快，開關(guān)頻率高，減少開關(guān)損耗；
3 、Qrr=0:無(wú)反向恢復(fù)損失(無(wú)體二極管)，降低開關(guān)噪聲，更好的EMI性能；
4 、低 RDSON: 降低傳導(dǎo)損耗。GaN的這些優(yōu)點(diǎn)使得采用GaN的適配器尺寸更小、效率更高。
