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        750V 4A半橋式功率MOSFET/IGBT單相驅動芯片

        2023-07-18 11:01:54閱讀量:1592

        產品概述

        IRS2113S是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片,采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成。具有獨立的高、低側傳輸通道 。

        IRS2113S的邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力,其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達750V。

        IRS2113S內部集成高低側shutdown邏輯,可用于故障條件下的通斷關斷。

        IRS2113S采用寬體SOP-16-300mil封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。

         

        主要特征


        自舉工作的浮動通道

        最高工作電壓可達 750 V

        兼容 3.3V、5V 和 15V 輸入邏輯

        dVS/dt 耐受能力可達±50 V/nsec

        VS 負偏壓能力達-9V

        柵極驅動電范圍 10 V-20V

        寬溫度范圍-40~125°C

        集成欠壓鎖定功能

        周期性邊緣觸發關斷邏輯

        輸入輸出同相位

        邏輯和電源地±5V 偏移

        芯片開通關斷延時特性

        -- Ton/Toff =130ns/130ns

        -- 高低側延時匹配

        驅動電流能力:

        拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

        高、低側欠壓鎖定電路

        欠壓鎖定正向閾值 8.9V

        欠壓鎖定負向閾值 8.2V

        符合 RoSH 標準

         

        應用場景


        通用逆變器

        交流和直流電源中的半橋和全橋轉換器

        用于服務器、電信、IT 和工業基礎設施的高密度

        開關電源

        太陽能逆變器、電機驅動器和 UPS

         

        封裝形式

           

        應用案例

        IRS2113STRPBF-JSM可以適用多種應用場景。覆蓋通用逆變器,交流和直流電源中的半橋和全橋轉換器;也可以用于服務器、電信、IT和工業基礎設施的高密度開關電源;太陽能逆變器、電機驅動器和UPS等。

                                                                                                    

           

        上圖是IRS2113STRPBF-JSM用于逆變器的一種應用方案

         

          

        上圖是IRS2113STRPBF-JSM用于逆變器的一種應用方案

         

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