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安森美推出3款基于碳化硅、用于車載充電器的汽車功率模塊

2022-09-30 11:19:55閱讀量:1048

領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),近日宣布推出三款基于碳化硅(以下簡稱“SiC”)的功率模塊,采用壓鑄模技術,用于所有類型電動汽車(以下簡稱“xEV”)的車載充電和高壓(以下簡稱“HV”)DCDC轉換。APM32系列是把SiC技術和壓鑄模封裝相結合的行業首創產品,可提高能效并縮短xEV的充電時間,專用于11 kW到22 kW的大功率車載充電器(以下簡稱“OBC”)。

這三款模塊都表現出低導通損耗和開關損耗的優勢,結合同類最佳的熱阻和高壓隔離,可處理800 V總線電壓。更高的能效和更少的發熱最終使OBC的性能更強大。它使xEV充電更快和續航里程更遠,這是消費者極為看重的兩個關鍵因素。


  




安森美汽車電源方案副總裁兼總經理Fabio Necco說:“我們的新模塊采用了最新的SiC技術,將損耗和整體系統體積降至最低,支持設計人員實現提升充電效率和節省空間的目標。設計人員采用預配置的模塊格式,能夠更快地配置他們的設計,大大縮短上市時間和降低設計風險。”


憑借安森美的端到端SiC供應鏈能力和經驗證的SiC MOSFET和二極管,APM32模塊具有高可靠性,且每個模塊都序列化,完全可追溯。這些模塊可在高達175℃的結溫(Tj)下工作,即使在具挑戰性的、空間受限的汽車應用中也能確保可靠性。

安森美電源方案部執行副總裁兼總經理Simon Keeton說:“APM32為客戶提供差異化的解決方案,它采用安森美同類最佳的封裝,充分發揮尖端前沿的SiC技術能力。此外,我們知道客戶重視供應保證,而我們的端到端SiC供應鏈能力可以提供這種保證。”


APM32系列的兩個模塊NVXK2TR40WXT和NVXK2TR80WDT采用H橋拓撲結構,擊穿(V(BR)DSS)電壓1200 V,從而確保適用于高壓電池組。它們被設計用于OBC和HV DCDC轉換段。第三款模塊NVXK2KR80WDT采用維也納整流器拓撲結構,用于OBC的功率因素校正(PFC)段。6-pack模塊和全橋模塊也將很快推出,以完善SiC OBC的產品組合。

三款模塊都采用小巧、強固的雙列直插式封裝(DIP),確保了模塊的低阻抗。頂部水冷和隔離功能符合最嚴格的汽車行業標準。爬電距離和電氣間隙符合IEC 60664-1和IEC 60950-1。此外,這些模塊還符合AEC-Q101和AQG 324車規。
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onsemi(安森美) | 汽車電子